Установка экспонирования SB–402
- Адаптируемый размер подложки: 3″ (Ф76 мм) (опционально в соответствии с потребностями пользователей) 4″(Ф102 мм)
- Адаптируемый размер фотошаблона: 3″ (Ф76 мм) (опционально в соответствии с потребностями пользователей) 4″(Ф102 мм)
- Диапазон перемещения верхнего и нижнего фотошаблона должен совпадать: Ось X: ±4 мм Ось Y: ±4 мм Ось θ: ±7,5°
В данном разделе представлены установки, реализующие метод контактной фотолитографии — технологический прием, при котором изображение с фотошаблона переносится на заготовку (подложку) в момент их прямого соприкосновения.
Что такое экспонирование
Экспонирование представляет собой один из важных этапов в технологическом маршруте производства печатных плат, определяющий точность воспроизведения топологии проводников. На этом этапе через фотошаблон на фоторезистивный слой наносится строго дозированное УФ-излучение. За счет точных фотохимических реакций полимер меняет свою структуру: засвеченные участки становятся устойчивыми к проявителю, формируя идеальный контур будущих дорожек.
Именно равномерность экспонирования и высокое разрешение оборудования напрямую влияют на три ключевых параметра:
- Электропроводность — без микротрещин и недотравов.
- Долговечность — плата выдерживает термоциклы без расслоения.
- Качество — минимизация брака на финальном тестировании.
Принцип работы и назначение
Оборудование из этой категории выполняет две последовательные задачи: предварительное совмещение топологических слоев (прецизионная юстировка относительно уже сформированных на пластине структур) и последующее экспонирование — засветку слоя фоточувствительного материала (резиста) через трафарет фотошаблона. Благодаря непосредственному физическому контакту маски и подложки достигается максимальная передача мелких деталей без эффектов дифракции на зазоре.
Преимущества оборудования
- Высокая точность переноса рисунка (микронные и субмикронные допуски)
Установки экспонирования обеспечивают воспроизводимое совмещение фотошаблона с заготовкой с погрешностью в единицы микрон. Это гарантирует соответствие проводников проектным спецификациям, что критически важно для многослойных и высокоплотных плат. - Равномерность засветки по всей площади пластины
Благодаря применению коллимированных (параллельных) источников света и оптических систем с сотовидной или интегральной структурой достигается отклонение интенсивности экспонирования не более ±5%. Это исключает недопроявку или пересветку на краях подложки. - Совместимость с различными типами подложек и фоторезистов
Установки экспонирования работают с кремниевыми, керамическими, стеклянными и металлизированными основаниями, а также с толстопленочными и тонкопленочными фоторезистами (включая SU-8 и PMER). Это делает их универсальным инструментом для НИОКР, гибридных микросборок, датчиков и СВЧ-устройств.
