LS8–1SP
- Объём обработки: 25 пластин (стандартные кассеты), автоматическое картографирование
- Эффективный ход электроцилиндра: ≤ 300 мм
- Максимальная скорость распыления: 8 мл/мин, (регулируется)
MS6–CA
- Размер подложки: 50, 75, 100, 150 мм
- Материал подложки: кремний
- Основная длина волны: i–line 365 нм
МС8–1C1HP
- Конфигурация агрегата: COT+HP
- Размер подложки: 200 мм
- Трубопровод фоторезиста: 2 канала
BG–406
- Применимые размеры пластины 76 мм
- Применимые размеры маски 3 дюйма х 4 дюйма
- Режим экспонирования Без зазора - мягкий контакт, без зазора - жесткий контакт, вакуумное копирование
Технология контактной фотолитографии
В ассортименте представлено оборудование для контактной фотолитографии — от ручных до полностью автоматизированных систем, предназначенных для переноса изображения с фотошаблона на образец путем засветки фоторезистивного слоя. Чтобы добиться максимальной равномерности экспонирования, зачастую применяется вакуумный контакт, позволяющий удалить воздушную прослойку между поверхностью пластины и фотошаблоном. Ручные установки контактного типа оптимальны для мелкосерийного производства и лабораторных исследований, тогда как высокоавтоматизированные литографы незаменимы при промышленном выпуске микросхем. Отдельную категорию составляют системы двусторонней фотолитографии (с функцией double aligning), востребованные при создании оптоэлектронных приборов, силовой электроники, сенсорных элементов, гибридных интегральных схем, устройств СВЧ-диапазона, МЭМС-компонентов и в ряде других прикладных областей.
