Печь для термического окисления
Высокотемпературное окисление пластин SiC и GaN с коротким временем выполнения процесса и высокой производительностью.
ХАРАКТЕРИСТИКИ:
- Температура процесса: 1380~1500 ̊C
- Газ: H2, N2O, NO, O2, Ar2, N2
- Рабочее давление: 100 мбар
- Ёмкость: 25 или 50 пластин
- Размер обрабатываемых пластин: ≤ 150 мм
- Полностью автоматизированная система