Время работы
Установка плазмохимического травления

XORS200C L RIE ICP

Отправить запрос

Система травления предназначена для разработки и постановки базовых технологических процессов, плазмо-химического травления оксида кремния на пластинах диаметром до 200 мм.

Описание:

Возможности:

Комплекс системы травления предназначен для реализация сухих (плазменных) технологий производства 3D интегрированных структур полупроводниковых устройств типа «система в упаковке» (SiP).

Комплекс может применяться автономно или в составе линии для производства изделий электронной промышленности.

Основные особенности:

Принцип действия Комплекса основан на технологических процессах для бездефектного анизотропного плазмохимического травления оксида кремния через фоторезистивную маску. В Комплексе обрабатываются пластины диаметром 150-200 мм.

Технические характеристики:

Размер обрабатываемых пластин: 100, 150, 200 мм
Способ загрузки изделий: автоматическая загрузка в камеру и обратно
Источник плазмы: Balanced ICP
Частота источника плазмы: 13,56 МГц
Мощность: до 2000 Вт
Предельное остаточное давление в рабочей камере: 3x10-4 Па
Диапазоны регулирования давления: до 13.3 Па
Применяемые газы: C4F8, O2, CHF3, C4F6, Ar, He
Диапазон регулирования температуры рабочего стола: -20 .... 40°C
Прижим подложки: механический
Частота рабочего стола: 1-4 МГц
Мощность: до 500 Вт
Масса: до 1450 кг
Площадь для размещения: 25 м2