Установка плазмохимического травления
XORS200C L RIE ICP
Система травления предназначена для разработки и постановки базовых технологических процессов, плазмо-химического травления оксида кремния на пластинах диаметром до 200 мм.
ОПИСАНИЕ:
Возможности:
Комплекс системы травления предназначен для реализация сухих (плазменных) технологий производства 3D интегрированных структур полупроводниковых устройств типа «система в упаковке» (SiP).
Комплекс может применяться автономно или в составе линии для производства изделий электронной промышленности.
Основные особенности:
Принцип действия Комплекса основан на технологических процессах для бездефектного анизотропного плазмохимического травления оксида кремния через фоторезистивную маску. В Комплексе обрабатываются пластины диаметром 150–200 мм.
Технические характеристики:
- Размер обрабатываемых пластин: 100, 150, 200 мм
- Способ загрузки изделий: автоматическая загрузка в камеру и обратно
- Источник плазмы: Balanced ICP
- Частота источника плазмы: 13,56 МГц
- Мощность: до 2000 Вт
- Предельное остаточное давление в рабочей камере: 3x10-4 Па
- Диапазоны регулирования давления: до 13,3 Па
- Применяемые газы: C4F8, O2, CHF3, C4F6, Ar, He
- Диапазон регулирования температуры рабочего стола: –20 .... 40°C
- Прижим подложки: механический
- Частота рабочего стола: 1–4 МГц
- Мощность: до 500 Вт
- Масса: до 1450 кг
- Площадь для размещения: 25 м2