M-Ray VP
Установка вакуумного напыления
M–Ray VP
Предназначена для магнетронного нанесения различный покрытий на изделия, в том числе упрочняющих, коррозионно- стойких, такие как: лопатки турбин, инструменты, корпуса и др. Установка имеет 20 позиций вращения. Предельный размер изделий диаметром 80 мм и длиной 400 мм. В максимальной комплектации установка может быть укомплектована 4-мя парами магнетронов для распыления любых материалов из мишеней размером 440×100×(6÷15) мм.
План камеры
Габаритный чертёж
Габаритный чертёж
ОПИСАНИЕ:
Вращение изделий вокруг своей оси и напыление с четырёх сторон
Очистка поверхности изделий перед напылением с помощью ионного источника постоянного тока
Нагрев изделий до заданной температуры, контроль и поддержание температуры в процессе напыления слоев
Стабилизация заданного расхода технологических газов по трём каналам и контроль расхода газа по каждому каналу
Отпыливание мишени любого из одного – восьми магнетронов на управляемую заслонку
Вертикальное расположение мишеней на магнетронах и изделий на вращающихся позициях
Автоматическое выполнение технологического цикла по программе
Размещение изделий на легко снимаемых носителях с целью сокращения времени загрузки и выгрузки
Магнетронное нанесение тонких пленок
Посредством катодного распыления мишени в плазме выполняется магнетронное нанесение тонких пленок, которое считается одним из самых распространенных методов. Осуществление данной операции проходит посредством особых технологических устройств – распылительных систем. Важное преимущество технологии заключается в возможности управления характеристиками растущего слоя благодаря выбору оптимальных параметров – давления, мощности, плотности ионного тока, в результате чего удается создавать покрытия, обладающие управляемыми свойствами. Сам процесс распыления происходит в виде бомбардировки поверхности мишени рабочим газом. За счет того что горение наблюдается в объединенных магнитном и электрическом полях повышается эффективность ионизации и образуется плотная плазма. При этом сокращается электронное воздействие на саму подложку вследствие того, что вторичные электроны захватывает магнитная ловушка, что уменьшает бомбардировку поверхности и перегрев.