M-Ray H1S
Установка вакуумного напыления
M–Ray H1S
Предназначена для магнетронного, термического и ионно-лучевого напыления на керамические, кремниевые, ситаловые и другие плоские (толщина не более 30 мм) подложки размером до ∅100 мм. Мишени на магнетронах располагаются горизонтально. Над ними располагается вращающаяся карусель, на которой размещены носители с закрепленными подложками. Обработка изделий производится в горизонтальной плоскости, материал распыляется снизу вверх.
План камеры
Габаритный чертёж
Габаритный чертёж
ОПИСАНИЕ:
Высоковакуумная система на базе криогенного насоса и спирального форвакуумного насоса
Рабочая камера с шестью позициями для технологических устройств
Горизонтальная карусель с датчиком температуры и возможностью точного позиционирования
Трёхканальная система газонапуска
Шкаф питания и управления со встроенным чиллером вода-вода
Система автоматического управления на основе Windows и SCADA
Технологические устройства: четыре магнетрона с мишенью диаметром 100 мм с индивидуальными заслонками, источник ионов, нагреватель
Система протоколирования технологического процесса, система удаленного доступа
Варианты загрузки изделий:
- Односторонняя обработка подложек 60*48мм – 20 шт.
- Односторонняя обработка подложек ø100мм – 8 шт.
- Двухсторонняя обработка подложек 60*48мм – 20шт.
- Односторонняя обработка с использованием устройства переворота 60*48мм – 40 шт.
- Способ загрузки изделий: ручная загрузка через дверь камеры непосредственно на диск или на носителях
Технологические устройства (количество гнезд для установки – 5):
- Магнетрон: до 5 шт.
- Испаритель термический с резистивным нагревом: до 5 шт.
- Испаритель термический с электронным нагревом: до 5 шт.
- Ионно-лучевой распылитель (занимает два гнезда): до 2 шт.
- Источник ионов: до 5 шт.
Опции:
- Дополнительный нагреватель
- Термический испаритель резистивный
- Термический испаритель с кольцевым катодом.
- Система ионного распыления.
- Карусель для двухстороннего нанесении.(с переворотом подложек)
- Свидетель сопротивления.
- Автономный чиллер (рефрежераторный с воздушным охлаждением)
- Магнетрон для магнитных материалов.
- Кварцевый измеритель толщины.
Установка для ионного травления
Для обработки поверхности материала ионами плазмы используется установка для ионного травления, которая помогает удалять с нее определенный слой посредством кинетической энергии, получаемой от воздействия инертных газов.
Установка ионно–лучевого напыления
С целью осаждения тонких пленок посредством использования пучка ионов с положительным зарядом применяется установка ионно-лучевого напыления, функционирующая в условиях вакуума.
Благодаря особенностям оборудования удается осуществлять независимый контроль над потоками ионов и энергией пучка. Для этого процесса характерно низкое давление. В результате можно работать с различными материалами, при этом стехиометрия будет хорошо контролируемой. Еще одно несомненное преимущество заключается в сокращении числа посторонних включений в осаждаемых пленках. Оборудование помогает проводить осаждение высококачественных оптических материалов на очень гладких поверхностях. Есть возможность нанесения покрытия на термочувствительную подложку. Также можно выполнять реактивные и нереактивные операции в одной и той же камере без необходимости в перенастройке. С помощью данной технологии удается получать покрытия без эффекта дрейфа под воздействием разных внешних условий. Они проявляют стойкость ко многим факторам.