ИНЖЕНЕРЫ
ДЛЯ ИНЖЕНЕРОВ

Россия, 124460, Москва, Зеленоград,
просп. Георгиевский, д. 5, строен. 1

+7 (499) 479 12 39 +7 (499) 479 12 39 +7 (499) 479 77 24

Вакуумные технологии

ТЕРМИЧЕСКОЕ ИСПАРЕНИЕ

В раннюю эру полупроводниковых технологий почти все металлические слои напылялись методом термического испарения. Хотя метод термического испарения по-прежнему используется во многих исследовательских лабораториях, в большинстве технологий изготовления кремниевых полупроводниковых приборов его вытеснил метод магнетронного распыления – по двум причинам. Во-первых, проблема сглаживания ступенек. Хотя горизонтальные размеры транзисторов увеличились, толщина металлических слоев остается почти постоянной. Вследствие этого топография поверхности для покрытия металлом усложнилась. Термически напыленные пленки плохо покрывают такие структуры, на вертикальных стенках образуются несплошности/разрывы пленки. Кроме того, при использовании термического испарения трудно обеспечить строгий контроль получения сплавов. Плохая способность к сглаживанию ступенек может стать преимуществом при использовании метода термического напыления, например, в процессах lift-off (обратной, или взрывной, литографии).

Здесь пленка напыляется на структурированный слой фоторезиста. Пленка, естественно, разрывается на границах фоторезиста, так что после быстрого (взрывного) стравливания фоторезиста лежавший на его поверхности слой легко снять.

Процесс термического испарения:

  • Материал для испарения и осаждения загружается в нагретый контейнер – тигель.
  • Тигель нагревается резистивным методом, прямым пропусканием больших токов.

Когда материал в тигле разогревается, он испаряется, и испаренные атомы движутся по прямым траекториям, пока не ударятся о поверхность, на которой они конденсируются, формируя пленку.

НОВОСТИ КОМПАНИИ

Ваша заявка принята!