ИНЖЕНЕРЫ
ДЛЯ ИНЖЕНЕРОВ

Россия, 124460, Москва, Зеленоград,
просп. Георгиевский, д. 5, строен. 1

+7 (499) 479 12 39 +7 (499) 479 12 39 +7 (499) 479 77 24

Продукция «НПП «ЭСТО» / Вакуумное оборудование

Отправить заявку

Caroline PE15

НАЗНАЧЕНИЕ:
 
Установка полностью автоматизированного управления с поштучной обработкой пластин диаметром до 200 мм. снабжена генератором плазмы высокой плотности (патент РФ № 2 171 555) со своим ВЧ-генератором возбуждения плазмы (частотой 13,56 МГц) и специальным столом с подачей от независимого генератора ВЧ-смещения для вытягивания и ускорения ионов из плазмы.
 
Конструкция генератора плазмы и стола травления позволяют получать на обрабатываемых подложках потоки ионов 5÷10 мА/см.² и более с регулируемой генератором смещения подложки энергией от 20 до 300 э.В. и более. Для улучшения теплоотвода от подложки предусмотрен так называемый «гелиевый теплоотвод», который подразумевает подачу гелия между подложкой и поверхностью стола, что позволяет поддерживать небольшой перепад температур между поверхностью электрода и подложки.
 
В зависимости от задач Заказчика установка может быть укомплектована подогреваемым или охлаждаемым столом.
 
УСТАНОВКА ОБЕСПЕЧИВАЕТ:
 
  • стабилизацию заданного расхода технологических газов по трем каналам и контроль расхода газа по каждому каналу;
  • автоматическое выполнение программ «от загрузки до разгрузки»;
  • перемещения подложек из шлюза на позицию травления и обратно при помощи японского манипулятора.
Установки этого типа комплектуются:
 
  • специальным согласующим устройством;
  • современным многоканальным газонапуском;
  • импортным химстойким турбомолекулярным насосом;
  • баротроном для контроля вакуума в рабочей точке;
  • установки имеют возможность комплектации лазерным контролем толщины стравлиаемого слоя (опция);
  • при необходимости прогрев стола до 300ºС.
 
Установка предназначена для производства во всех областях микроэлектроники, микромеханики, оптической промышленности и т.д.
 
УСЛОВИЯ ЭКСПЛУАТАЦИИ:
 
Установка предназначена для работы при температуре 15÷30˚С относительно влажности 65±15%, атмосферном давлении 9,9х104 Па (750 ±30 мм.рт.ст.). 
Питание установки осуществляется от трехфазной четырехпроводной сети с нулевым проводом переменного тока напряжением 380 В ± 10%, частотой 50 Гц. Максимальный потребляемый установкой ток по фазам не более 50А.
 
Установка обеспечивает работу при подаче в нее:
 
  • холодной воды с температурой 5÷20˚С под давлением (4÷5 кгс/см.2) с расходом 0,6 м3/час, также необходимо подвести к установке линию слива охлаждающей воды диаметром не менее 20 мм.;
  • сжатого воздуха под давлением 4÷6 кгс/см.2;
  • кислорода газообразного под давлением 1÷1,5 кг/см.2, аргона газообразного марки «особо чистый» под давлением 1÷1,5 кг/см.2, азота газообразного марки «особо чистый» под давлением 1÷1,5 кг/см.2
 
На установке реализованы следующие технологии:
 
  • субмикронное скоростное травление диэлектриков (SiO2, Si3N4) со скоростями порядка 1 мкм/мин., включая пьезокварцевые подложки на глубину более 100 мкм.;
  • травление металлов, в том числе и чисто ионное травление золота, меди и других металлов, не образующих летучих соединений. Травление производилось через резистивные и металлические маски (скорость травления по золоту более 0,2 мкм/мин.);
  • травление монокристаллического кремния в различных типах процессов. Конструкция установки позволяет применение «криогенного стола». Скорость травления кремния ограничена только откачными средствами и в одном из вариантов процесса достигала 5 мкм/мин.;
  • травление арсенида и нитрида галлия в производстве полупроводниковых лазеров и светодиодов, в том числе областей под омические контакты.;
  • травление полиимида с высокими скоростями, снятие резиста;
  • травление или отжиг в плазме водорода или в атомарном водороде;
 
Установка поставляется с автоматизированной управляющей и тестовой технологической программами либо на лабораторной базе Исполнителя под технологию Заказчика может быть произведена отработка технологии с последующим переносом её на заказанную установку (опция). 
Ваша заявка принята!